Samsung ha anunciado que comenzará la producción en masa de almacenamiento eUFS 3.0 de 512 GB. Esta sería una novedad para la industria móvil, ya que todos los demás teléfonos inteligentes todavía usan chips de memoria eUFS 2.1 en este momento. Desafortunadamente, estos chips se utilizarán en la 'próxima generación de teléfonos inteligentes' y no estarán presentes en los nuevos dispositivos de la serie S10. Sin embargo, se rumorea que Samsung podría presentar los chips de memoria en su nuevo dispositivo Samsung Galaxy Fold.
Cheol Choi, vicepresidente de marketing y ventas de memorias de Samsung Electronics, declaró que “El comienzo de la producción en masa de nuestra línea eUFS 3.0 nos da una gran ventaja en el mercado móvil de próxima generación al que estamos brindando una velocidad de lectura de memoria que antes solo estaba disponible en laptops ultradelgadas”.
El eUFS 3.0 de 512 GB contará con una matriz V-NAND de 512 GB de quinta generación y también contará con un controlador de alto rendimiento. Se esperan velocidades de lectura de hasta 2100 MB / s, que serán más del doble de rápidas que los chips eUFS 2.1 actuales. Los nuevos chips son supuestamente tan rápidos como los portátiles ultradelgados recientes en términos de rendimiento de almacenamiento. Por otro lado, las velocidades de escritura supuestamente rondarán los 410 MB / s, lo que lo colocaría en la misma región de velocidad que los SSD SATA. Además, las operaciones de entrada / salida por segundo (IOPS) también han experimentado un aumento, realizando 63.000 IOPS de lectura aleatoria y 68.000 IOPS de escritura aleatoria. Con estas velocidades, puede transferir una película Full HD desde un teléfono inteligente a su computadora portátil en solo 3 segundos.
eUFS 3.0
Sin duda, esto presionará a los competidores para que agreguen chips de memoria eUFS 3.0 en los teléfonos futuros. Por lo tanto, podemos esperar que más empresas adopten el estándar pronto.
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